Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Как специалист специалисту.

реклама

Один из постоянных авторов сайта EE Times смог пообщаться с директором компании Intel, Брайаном Кржаничем (Brian Krzanich), что произошло после его выступления на открытии осенней сессии IDF 2015. Поскольку вопросы задавал не рядовой журналист, а человек находящийся глубоко в теме, затронуты были очень интересные аспекты работы и разработок Intel. Например, был задан вопрос о природе памяти 3D XPoint, которую компания Intel разработала совместно с компанией Micron и которая обещает оказаться в 1000 раз быстрее флэш-пмаяти NAND-типа.

Оба разработчика держат в секрете механизм работы памяти 3D XPoint. У директора Intel прямо спросили: "А не память ли это с изменением фазового состояния вещества (PCM)?" По словам Кржанича, память 3D XPoint "слегка отличается от памяти PCM". "Химические процессы в ячейке 3D XPoint очень уникальны. Это не чистая PCM, поскольку используется материал с монолитной структурой". Похоже, память 3D XPoint всё же ближе к памяти типа PCM, чем к резистивной ReRAM. В ближайшее время в Intel обещают подробно описать принцип работы 3D XPoint.

реклама

Также в Intel раздумывают об уникальном интерфейсе для соединения подсистемы памяти на 3D XPoint с процессором. В компании не исключают, что это может быть проприетарным решением, закрытым, хотя Intel будет выпускать накопители с памятью 3D XPoint со многими современными интерфейсами: PCI Express, DDR4 и другими.

Также был задан вопрос о проблемах с производством на основе новейших техпроцессов, что вызвало перекрытие анонсов процессоров двух поколений друг на друга (Broadwell и Skylake), а также удлинило период "тик-так" с двух до двух с половиной лет. Всему виной, если верить Intel, трудности с многомасочной проекцией, которую компания вынуждена использовать для освоения производства процессоров со всё меньшими и меньшими нормами масштаба техпроцесса. Если бы EUV-литография была внедрена в производство несколько лет назад, то проблем бы не возникло. Пока же Intel вынуждена констатировать факт, что концепция "тик-так" по срокам претерпела изменение. Но это, кстати, не означает, что так будет дальше. Переход на EUV-проекцию может вернуть двухгодичный цикл перехода на новую архитектуру или техпроцесс.

Следующий год, по мнению директора Intel, может стать решающим в плане определённости, будет ли 7-нм техпроцесс освоен с применением EUV-сканеров, или без них. Техпроцесс с норами 10-нм точно обойдётся без нового оборудования. Кстати, компания также пока не определилась с замороженной фабрикой Fab 42 в Аризоне. В 2011 году Пол Оттелини торжественно пообещал президенту Обаме, что новый завод Fab 42 будет построен для выпуска 14-нм процессоров и войдёт в строй в 2013 году. Впоследствии компания остановила проект на уровне построенных цехов и не стала завозить в него производственное оборудование. Судьба завода также будет определена в следующем году, но в любом случае, речи о выпуске 14-нм решений на нём не будет. Только 10-нм, если оборудование всё-таки начнут завозить.

Показать комментарии (6)

Сейчас обсуждают