Кто только не пытался наладить выпуск энергонезависимой памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества — Phase Change Memory или PCM, но первой компанией, освоившей массовый выпуск достаточно ёмких микросхем "новой флэш-памяти", стала американская компания Micron Technology. Ещё летом Micron сообщила, что готова выпускать для смартфонов и планшетов 45-нм 1-Гбитные микросхемы PCM (128 Мбайт). Для удобства использования нового типа энергонезависимой памяти кристаллы PCM были упакованы вместе с кристаллами SRAM в упаковку с интерфейсом LPDDR2. Это дало возможность заменить ими в устройствах микросхемы памяти NAND-флэш и NOR-флэш малой ёмкости.

Как признался представитель Micron на выставке электронных компонентов в Мюнхене (Electronica 2012), до конца года компания выпустит десятки миллионов микросхем 1-Гбит PCM. Пока Micron раскрыла имя лишь одного клиента на данную память. Это компания Nokia, которая использует PCM в телефонах Asha. Имя второго получателя держится в секрете. Тем не менее, ранее Micron говорила, что память с изменяемым фазовым состоянием вещества прошла квалификационные тесты в субмобильной платформе компании Intel. Поскольку ёмкости массовых микросхем PCM сравнительно малы, они прописались лишь в телефонах высшего уровня и смартфонах низшего, где требования к объёму загружаемого программного обеспечения не такие жёсткие.

Отметим, приступив к массовому выпуску PCM, компания Micron пропустила 65-нм техпроцесс производства, поскольку до 45-нм решений она демонстрировала лишь соответствующие 90-нм разработки. Со следующими микросхемами данного типа произойдёт та же история. В компании сообщили, что техпроцесс 30-нм класса будет пропущен, а следующей PCM-памятью станут приборы 20-нм класса.

Надо сказать, что компания Micron, вслед за Samsung, перестала указывать точные длины затвора транзисторов, мотивируя это тем, что точно измерить шаг техпроцесса с определённого момента стало невозможно. Это также можно понимать так, что в пределах одного кристалла наблюдается разброс такой характеристики, как длина затвора, что затрудняет однозначное определение глубины используемого техпроцесса с точностью до единиц нанометров. В связи с этим хотелось бы спросить, как они дальше собираются уменьшать масштаб техпроцесса, если даже на современном этапе не могут измерить то, что выпускают?

В заключение напомним, что память с изменяемым фазовым состоянием вещества работает по тому же физическому принципу, что и перезаписываемый оптический диск. Вещество в ячейке памяти на основе халькогенида под воздействием локального нагрева может становиться аморфным или кристаллическим. Это меняет сопротивление ячейки с бесконечного на малое, что соответствует записи двум состояниям: "0" и "1". Память PCM выдерживает на порядок больше циклов перезаписи, чем NAND-флэш, а по скорости приближается к оперативной памяти. Одним словом — мечта. И компания Micron, похоже, эту мечту приблизила к реальности.