Аналитики сообщают, что заметили их в модулях Trident Z5 компании G.Skill.
рекомендации

В прошлом году Samsung Electronics продемонстрировала модули памяти DDR5 DRAM объёмом 512 ГБ, в них использовались чипы, произведённые по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Модули предназначались для серверных систем, а сроки коммерциализации не уточнялись. Похоже, что компания уже поставляет новые чипы памяти для производства потребительских решений. Об этом сообщает издание The Elec, ссылаясь на отчёт аналитиков агентства TechInsights, которые обнаружили новые чипы в серии модулей оперативной памяти Trident Z5 компании G.Skill.

реклама

Как отмечают аналитики, ранее Samsung начала применять технологию HKMG для производства GDDR6, вероятно, материал Poly-SiON достиг предела применения в новых востребованных продуктах из-за высоких токов утечки и HKMG станет новым стандартом в отрасли для будущих поколений DRAM.

рекомендации

Технология HKMG подразумевает применение металлического затвора и диэлектрика с высокой диэлектрической постоянной (high-k), что позволяет снизить токи утечки и в конечном итоге добиться меньшего рабочего напряжения и энергопотребления. Так Samsung Electronics отмечалось, что модули DDR5 DRAM на базе HKMG потребляют на 13% меньше энергии.

Источник:
The Elec
TechInsights
За пост начислено вознаграждение
Этот материал написан посетителем сайта, и за него начислено вознаграждение.
+
Написать комментарий (0)

Популярные новости

Популярные статьи

Сейчас обсуждают