Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
Ведущие производители памяти, компании Samsung, SK Hynix и Micron, в настоящее время ведут работу над новым поколением высокоскоростной памяти HBM. Южнокорейская SK Hynix недавно представила новый вариант охлаждения для памяти HBM под названием iHBM. Здесь применяются интегрированные элементы охлаждения (ICE), которые повышают теплоотдачу при увеличении плотности и производительности стеков HBM.
Ответом от Samsung становится Heat Block Path (тепловой блок). Компания показала его в рамках выставки Computex, позволив узнать, как будет выглядеть память HBM5 с HPB.
HPB будет находиться поблизости от основного кристалла и соединяется посредством D2D PHY. Высота охлаждения будет такой же, как у основного кристалла. Выделяемое стеками памяти тепло будет поступать на HBP и более эффективно рассеиваться через холодную пластину.
Если потребуется усовершенствовать технологию, времени на эту Samsung будет достаточно. Появления первых графических процессоров с памятью HBM5 ждут не раньше 2028 или 2029 годов.