Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
Производители памяти ускоряют вывод новых решений на рынок из-за растущих потребностей систем искусственного интеллекта. На этом фоне борьба за первые поставки памяти следующего поколения между крупнейшими разработчиками DRAM становится всё более заметной.
SK Hynix сообщила об отправке крупным клиентам образцов памяти HBM4E. Компания начала тестирование новых модулей спустя несколько недель после выставки Computex 2026, где впервые показала эту разработку.
В образцах используется 12-слойная память HBM4E с максимальной емкостью 48 ГБ и скоростью до 16 Гбит/с на контакт. По данным SK Hynix, новинка обеспечивает более чем на 20% лучшую энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением.
HBM4E рассчитана на использование в будущих высокопроизводительных ИИ-платформах, включая NVIDIA Rubin Ultra и AMD Instinct MI500. Именно такие системы должны стать основой для следующего поколения центров обработки данных.
Для производства памяти компания использует технологию MR-MUF. Она позволяет сохранить конструктивную устойчивость 12-слойного стека и одновременно увеличить объем памяти до 48 ГБ. Кроме того, SK Hynix сообщает о повышении термостойкости на 17% по сравнению с HBM4.
Компания планирует тесно работать с партнерами во время испытаний и подготовить продукт к серийному выпуску. Параллельно Samsung также развивает собственные решения HBM4E и HBM5, однако SK Hynix первой начала поставки образцов клиентам.