Новости 16 октября 2016 года

Тайваньская компания MediaTek, по сообщениям азиатских источников, работает над созданием нового мобильного процессора из серии Helio. Он появится на рынке под названием Helio X27 и займёт место между MediaTek Helio X25 и Helio X30.

По данным PhoneArena, в состав новой однокристальной платформы MediaTek Helio X27 войдёт десятиядерный мобильный процессор, максимальная тактовая частота которого достигает 2.59 ГГц. Чип будет выпускаться по 20-нанометровому технологическому процессу. Кто займётся его производством, не уточняется. Вполне возможно, что заказ на выпуск Helio X27 достанется компании TSMC, которая также будет отвечать за производство процессора Helio X30 по 10-нанометровым нормам.

Первый смартфон на базе нового процессора Helio X27 выпустит компания LeEco, которая давно сотрудничает с MediaTek. Кстати, на следующей неделе LeEco планирует представить в США два своих новых смартфона, правда, базируются они на чипах Qualcomm Snapdragon.

Сроки выхода MediaTek Helio X27 пока неизвестны. Не исключено, что он дебютирует вместе с Helio X30 в начале 2017 года.

Компания Xiaomi готовит к выходу несколько новых смартфонов. Один из них на этой неделе был замечен на шпионских фото. Считалось, что это Xiaomi Mi 5c. На самом деле это не Xiaomi Mi 5c или Xiaomi Mi 6, а смартфон с кодовым названием "Meri", о чём сообщает PhoneArena.

Китайские источники опубликовали новые фотографии будущего смартфона Xiaomi, который носит кодовое название "Meri". Он оснащается 5.1-дюймовым дисплеем, разрешение которого пока неизвестно, восьмиядерным процессором с тактовой частотой 2.2 ГГц, 3 ГБ оперативной и 64 ГБ встроенной памяти. Работает смартфон под управлением мобильной операционной системы Android 6.0 Marshmallow. Пока это всё, что известно о новом смартфоне Xiaomi "Meri". Сроки его выхода источники не называют.

В эту пятницу, 14 октября, компания Huawei запустила в Китае новую серию смартфонов Nova, которая дебютировала в начале сентября на выставке IFA 2016 в Берлине. В рамках мероприятия, посвящённого запуску Huawei Nova на китайском рынке, компания сделала важное заявление.

Как сообщает GSMArena, на специальном мероприятии компания Huawei объявила о том, что с начала 2016 года она поставила свыше 100 миллионов смартфонов по всему миру. Для сравнения, за весь 2015 год Huawei продала в общей сложности 100 миллионов смартфон. И сейчас у Huawei остаётся два с половиной месяца, чтобы установить новый рекорд продаж.

Ранее Huawei объявила о том, что флагман Huawei P9, представленный в апреле, разошёлся 6-миллионным тиражом. Также Huawei продала 1,5 млн смартфонов серии Honor. Следующий топовый смартфон Huawei под названием Mate 9, будет анонсирован 3 ноября и появится в продаже до конца этого года. У него есть все шансы стать очередным бестселлером.

Группа исследователей из лаборатории в Беркли им. Лоуренса предложила структуру транзистора, размеры затвора которого снижены до 1 нм. Это тоже один из вариантов, как продолжить работу закона Мура после того, как обычный кремний перестанет двигать развитие электронных компонентов. В качестве затвора "1-нм транзистора" выбрана обычная углеродная нанотрубка. До этого, например, углеродные нанотрубки предлагалось использовать в качестве каналов транзисторов, поскольку у них лучшие показатели для движения электронов в стремительно мельчающих каналах. А вот использовать углеродные нанотрубки в качестве затворов транзисторов пока никто всерьёз не предлагал, поскольку в сходных условиях они генерируют очень слабую напряжённость электромагнитного поля, которое не способно остановить движение тока в канале.

Для работы углеродной нанотрубки в качестве затвора транзистора была создана следующая структура. В качестве канала транзистора между истоком и стоком использовался такой материал, как дисульфид молибдена (MoS2). В процессе прохождения тока по каналу из MoS2 эффективная масса электрона увеличивается, а с "потяжелевшими" электронами слабая напряжённость магнитного поля, генерируемая нанотрубкой, уже способна справиться и надёжно запереть транзистор.

Следует подчеркнуть, что опыты с "1-нм транзистором" находятся на ранней стадии. Предстоит поиск надёжных и максимально тонких изоляторов (диэлектриков), которые будут отделять нанотрубки от каналов транзисторов. В опыте учёных используется диэлектрик из диоксида циркония (ZrO2). Толщина плёнки ZrO2 снижена до 0,65 нм, что тоже сопряжено с трудностями технологического характера. В целом учёные доказали, что предложенная концепция вполне работоспособна, но для конкуренции с кремнием "молибденовый" транзистор должен пройти ещё долгий путь совершенствования.

Китайские источники выложили название серии и спецификации первых коммерческих накопителей Intel Optane на памяти 3D XPoint. В продаже или в составе готовых систем (ноутбуоков) новые SSD Intel появятся в виде серии Optane Memory 8000p. Впрочем, пока это будут не просто накопители, а ускорители системы, благо новинки обещают оказаться намного устойчивее к перезаписи, чем SSD на памяти NAND-флэш.

В серии Optane Memory 8000p будет выпущено две модели: одна ёмкостью 16 Гбайт, другая — 32 Гбайт. Формфактор — M.22241 и M.22280. Интерфейс — две линии PCI Express 3.0. Предполагается, что накопители Optane Memory 8000p станут отличительной особенностью производительной платформы Intel 7-го поколения. О контроллере решений, к сожалению, ничего не известно, хотя обещана поддержка со стороны 64-разрядных версий операционных систем Windows 7, Windows 8.1 и Windows 10.

Накопитель объёмом 32 Гбайт покажет устоявшиеся пиковые скорости чтения и записи на уровне 1,6 Гбайт/с и 500 Мбайт/с. Модель объёмом 16 Гбайт характеризуется устоявшейся скоростью чтения 1,4 Гбайт/с и устоявшейся скоростью записи 300 Мбайт/с. В значениях IOPS скорость работы со случайными 4-КБ блоками будет достигать, соответственно, 300 000/120 000 и 285 000/70 000 операций в секунду. Модели Intel Optane большей ёмкости выйдут позже.

Добавим, абсолютные значения производительности будущих новинок пока не впечатляют. Как оно будет работать на практике, нам ещё предстоит увидеть. В конце концов, вечная жизнь чего-то ведь стоит?

Некоторые производители используют маркетинговые стратегии, подразумевающие привлекательные цены на основной продукт, которые вынуждают продавать его "в убыток". Потери компенсируются на продажах сопутствующих товаров. В частности, если в случае со струйными принтерами "спасителями корпорации" выступают фирменные расходные материалы, то в сегменте игровых консолей долгое время потери на продажах игровых устройств компенсировались самими играми.

Как напоминает ресурс Polygon, компания Sony игровую приставку PlayStation 4 старалась продавать с прибылью, уходя от прежней бизнес-модели. Теперь, как поясняют представители Sony, шлем виртуальной реальности PlayStation VR с первых дней продаётся с прибылью. Напомним, что базовый комплект без камеры и манипуляторов оценивается в $399 (в России - 34 999 рублей). При этом Sony считает, что предлагает более доступную платформу виртуальной реальности, чем основные конкуренты. Для работы с PlayStation VR достаточно игровой консоли PlayStation 4, которая уже у многих есть, а также камеры и манипуляторов, которые тоже нередко имеются у владельцев консоли.

В интервью CNBC представители Sony выразили уверенность, что в первые дни продаж PlayStation VR разойдётся сотнями тысяч экземпляров. К высокому спросу Sony готовилась заранее, сформировав некий запас шлемов виртуальной реальности. Впрочем, в компании не уверены, позволит ли это избежать дефицита. Представители Sony считают, что PlayStation VR за $399 – это очень доступно.

Свою уверенность в способности рынка смартфонов обеспечивать компанию положительной динамикой выручки компания TSMC выражает весьма своеобразно. Она убеждена, что смартфоны будут становиться сложнее, им потребуются дополнительные микросхемы, процессоры и датчики, а заказывать выпуск всех этих компонентов разработчики будут именно TSMC.

С другой стороны, руководство компании считает, что где-то в 2019 году рынок смартфонов перестанет снабжать TSMC основной частью выручки, и на первое место выйдет сегмент высокопроизводительных вычислений: это и серверные компоненты, и телекоммуникационное оборудование, и специализированные ускорители вычислений.

В ближайшие пять лет, однако, TSMC по-прежнему будет рассчитывать на рост спроса на компоненты со стороны рынка мобильных устройств. Этот фактор будет определять примерно 50% роста. Ещё четверть придётся на рынок высокопроизводительных вычислений, а оставшаяся четверть достанется "интернету вещей". Возвращаясь к рынку смартфонов, TSMC верит, что в ближайшие пять сегмент будет расти на 5-6% ежегодно. Новые типы датчиков, внедрение виртуальной и дополненной реальности, переход от сетей 4G к 5G – всё это повлечёт пусть и умеренный, но стабильный рост спроса на новые микросхемы для смартфонов. Прижившиеся в дорогих смартфонах решения будут продвигаться в средний и нижний ценовой сегмент.

Клиентам из числа разработчиков полупроводниковых изделий для смартфонов TSMC предложит 7-нм техпроцесс первого поколения в 2017 году. В 2018 году он будет модернизирован, а к 2019 году "поспеет" 5-нм техпроцесс. То есть, литографические технологии будут эволюционировать каждый год, и развитие рынка смартфонов с этим тесно связано. Там, где важна низкая стоимость, будут использоваться 28-нм и 16-нм техпроцессы. Например, в сегменте компонентов для носимых устройств.

В марте этого года мы узнали, что TSMC собирается построить в Китае ещё одно предприятие по контрактному производству полупроводниковых изделий, которое сосредоточится на обслуживании интересов местных разработчиков микросхем и процессоров. Предприятие расположится в окрестностях Нанкина (Наньцзина), будет соседствовать с исследовательским центром и сможет обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм.

На пятничной квартальной отчётной конференции руководство TSMC подтвердило, что подготовка к строительству идёт полным ходом, фактически, фундамент производственных помещений был заложен ещё в начале июля. Во второй половине 2018 года предприятие уже начнёт снабжать китайских клиентов готовой продукцией. К тому моменту, как поясняет TSMC, с конвейера будут сходить 16-нм изделия. Никто из конкурентов в это время ещё не будет использовать 16-нм техпроцесс на предприятиях в Китае.

Исследовательский центр TSMC в Нанкине уже начал функционировать, в нём трудятся 50 инженеров, в следующем году их число удвоится. Технологическое оборудование будет доставлено в Нанкин с предприятий TSMC на Тайване. По всей видимости, "в родных стенах" освободившееся место займёт оборудование для более продвинутых техпроцессов, а в Китае будет использоваться оборудование "с пробегом по Тайваню". TSMC надеется, что появление нового производственного предприятия в Китае позволит компании быстрее выводить на рынок продукты заказчиков.

Взоры профессиональных ожидателей светлого будущего и более выгодных рыночных предложений уже устремлены на видеокарты GeForce GTX 1050 Ti и GeForce GTX 1050 на базе графического процессора GP107 с архитектурой Pascal, но энтузиасты продолжают раскрывать потенциал архитектуры Maxwell в лице графического процессора GM206 и основанной на нём видеокарты GeForce GTX 950. По крайней мере, этим в конце уходящей недели занимался российский оверклокер _12_.

Доставшийся ему экземпляр GeForce GTX 950 производства Palit быстро "подружился" с "фирменной" системой фазового перехода, которую Владимир уже давно использует в своих экспериментах. Разогнать видеокарту с её помощью удалось до 1850/8800 МГц, а в GPUPI 1B частота графического процессора даже достигала 1860 МГц. В данном тесте в связке с работающим на частоте 4950 МГц процессором Core i7-6950X (Broadwell-E) видеокарте удалось занять первое место среди себе подобных с результатом 57,866 секунды.

Центральный процессор охлаждался системой фазового перехода каскадного типа. Автор утверждает, что напряжение на графическом процессоре удалось поднять до 1.31 В. В качестве термоинтерфейса использовалась паста Gelid GC-Extreme. Перечислим дисциплины, в которых россиянин занял первые места среди GeForce GTX 950 при частотах видеокарты 1850/8800 МГц:

• 2733,01 балла DX11 в Unigine Heaven Xtreme при частоте центрального процессора 5.0 ГГц;
• 25 190 баллов Catzilla 576p при частоте центрального процессора 5.0 ГГц;
• 19 099 баллов Catzilla 720p при частоте центрального процессора 5.0 ГГц;
• 12 806 баллов 3DMark11 Performance при частоте центрального процессора 4925 МГц;
• 20 259 баллов 3DMark11 Entry при частоте центрального процессора 4925 МГц;
• 4502 балла 3DMark11 Extreme при частоте центрального процессора 4925 МГц;
• 8594 балла 3DMark Fire Strike при частоте центрального процессора 4925 МГц;
• 4181 балл 3DMark Fire Strike Extreme при частоте центрального процессора 4925 МГц;
• 1603 балла 3DMark Fire Strike Ultra при частоте центрального процессора 4925 МГц.