Обзор и тестирование SSD-накопителей Silicon Power S55 объемом 120 и 240 Гбайт: зоопарк на выезде (страница 3)

Температурный режим

Максимальная температура, которую удалось зафиксировать по показаниям встроенного мониторинга, составила 50° C (для тестов второго накопителя пришлось воспользоваться пирометром и производить замеры в разобранном виде).

Стабильность скоростных характеристик

С помощью CrystalDiskMark (64bit) 3.0.3 в режиме случайных данных производится замер производительности четыре раза:

• Изначальное состояние нового накопителя («нулевое» состояние);
• Производится заполнение диска пользовательскими данными (файлы MS Word, фотоснимки, аудио- и видеозаписи), таким образом, чтобы суммарный объем записанных данных был больше общего объема массива флеш-памяти, лежащего в основе накопителя;
• Тридцатиминутный простой, в течение которого не производится каких-либо операций с накопителем – для того, чтобы его микропрограмма могла задействовать реализованные в ней алгоритмы «сборки мусора» («Garbage Collection», «GС»);
• Удаление файлов и инициализация выполнения команды TRIM силами операционной системы.

Таким образом, мы можем узнать, насколько хорошо микропрограмма накопителя справляется с задачей поддержания уровня быстродействия на небольшом объеме одномоментно записываемых и прочитываемых данных – для эксплуатации в бытовых условиях этого достаточно.

Затем производится полная очистка накопителя и запускается тест AIDA64 Disk Benchmark в режиме «Write» (размер блока установлен равным 1 Мбайт) – данный тест производит линейную запись всего объема носителя, попутно выводя информацию о процессе записи в виде удобного графика. Этот тест позволяет нам увидеть, насколько в целом накопитель стабилен, не возникает ли перегрев и какие, возможно, алгоритмы «ускоренной записи» реализованы в микропрограмме.

И в заключение, после подачи команды TRIM на весь объем накопителя, производится тестирование с помощью Iometer:

• Имитируется работа накопителя в условиях нагрузки, близкой к серверной (непрерывная случайная запись блоками 4 Кбайт по всему объему с глубиной очереди запросов 32) при отсутствии TRIM. Именно так, к примеру, работают базы данных: создается один или энное число больших файлов, внутри которых выполняются операции чтения/записи, генерации команды TRIM при этом не происходит. Тест проводится непрерывно в течение двух часов, при этом ежесекундно снимаются показатели быстродействия. Итоги данного теста позволяют нам увидеть возможности подопытного как в «чистом», так и в «использованном» состояниях (достижение состояния «устоявшейся производительности»).


• По завершении этого теста проделаем еще один, целью которого будет выяснение того, насколько хорошо работают алгоритмы «сборки мусора» (Garbage Collection). На итоговом графике присутствуют скоростные показатели накопителя в четырех ситуациях: состояние «чистого» массива ячеек, после непрерывной нагрузки в течение двух часов в условиях отсутствия команды TRIM, после простоя 30 минут, которых должно хватить накопителю для отработки внутренних алгоритмов «сборки мусора», после выполнения команды TRIM на весь объем накопителя. Тест также специфический, и его результаты важны для тех, кто нацелен на эксплуатацию в условиях работы без TRIM.

Устойчивость скоростных характеристик

С поддержанием быстродействия под нагрузками у накопителей все относительно неплохо, хотя модификация на 120 Гбайт восстанавливается не полностью.

Ровно также как и в протестированном нами ранее GoodRAM CL100, в образце Silicon Power S55 на 120 Гбайт лежит массив TLC NAND. А в прошивке контроллера имеется реализация алгоритма «ускоренной» записи (другое название – SLC-режим), под который выделяется порядка двух с половиной процентов объема (около 3 Гбайт). На небольших объемах одновременной записи достигается скорость порядка 400 Мбайт/с, а по исчерпании SLC-буфера скорость падает до примерно 75 Мбайт/с. Оба скоростных показателя немногим больше, чем мы видели у GoodRAM CL100 120 Гбайт, что может объясняться несколько разным («плавающим») качеством микросхем флеш-памяти.

Под видом Silicon Power S55 к нам попал референс Phison и его поведение совершенно иное: никаких SLC-режимов тут нет и скорость записи тут устойчивая, причем даже выше, чем у референса Marvell в SLC-режиме.

Реальное копирование файлов соответствует тому, что мы увидели в AIDA64.

Непрерывная мелкоблочная запись с большой глубиной очереди запросов, да еще при отсутствии TRIM – тип нагрузки, нехарактерный для домашних ПК, но он иллюстрирует то, насколько производительна и стабильна в показателях использованная в тестируемых накопителях аппаратная платформа в целом.

Именно на мелкоблочной случайной нагрузке проявляется слабость «безбуферных» контроллеров: разброс показателей моментальной производительности очень серьезный, по факту каждые несколько секунд скорость накопителя падает почти до нуля. В прямом смысле слова: накопитель «залипает» и в течение двух-пяти секунд может вообще никак не реагировать на обращения со стороны системы. Таков образец Silicon Power S55 на 120 Гбайт.

Оказавшийся в Silicon Power S55 на 240 Гбайт референс Phison S10 с полноценным буфером – это совсем иное: скорость записи ровная, никаких «залипаний».

Оба накопителя получили реализацию алгоритмов автономной «сборки мусора» (GС), работающей независимо от поступления команды TRIM. Но если в референсе Marvell объем данных, принимаемых на полной скорости, соответствует SLC-режиму, то референс Phison ведет себя совершенно иначе, но в целом принимает даже чуть больше больше, нежели Marvell.

реклама