Компании Samsung и GlobalFoundries уже поочерёдно дали понять, что допускают возможность избирательного использования литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) уже в рамках 7-нм техпроцесса, который начнёт применяться для выпуска серийных изделий в 2018 году. TSMC и Intel в своих прогнозах более осторожны – они рассчитывают начать применение EUV-литографии в рамках 5-нм технологии.

На технологической конференции Deutsche Bank 2016 на этой неделе возможность высказаться была предоставлена не только руководству AMD, но и другим компаниям, имеющим существенное влияние на отрасль ПК и электроники. В частности, за Micron на мероприятии отдувался финансовый директор Эрни Мэддок (Ernie Maddock) – возможно, не самый осведомлённый в технических вопросах специалист, но имеющий обобщённое представление о планах этого производителя памяти. Было подтверждено, что к концу этого календарного года Micron начнёт выпуск продукции по технологии "10-нм класса": теоретически, это может быть и 19-нм техпроцесс, и 12-нм, ибо подобная трактовка допускает широкий диапазон толкований. Этот техпроцесс будет активно применяться для выпуска микросхем оперативной памяти DRAM, именно с его освоением связана основная часть затрат, запланированных на следующий год.

EUV-литография, как счёл нужным отметить Мэддок, в рамках внедряемого 1x-нм техпроцесса не потребуется. Если бы она была необходима, Micron сообщила бы об этом заранее. Нынешний уровень развития литографических технологий, по мнению финансового директора Micron, позволяет обходиться без EUV "ещё пару ступеней" техпроцесса, а вот потом она может потребоваться.

Сколько слоёв потребуется для создания перспективных микросхем памяти типа NAND, представитель Micron обсуждать отказался. По его словам, в ближайшие 3-5 лет отрасль в так называемые "теоретические ограничения" ещё не упрётся.