GeIL не скрывает высокой CAS-латентности памяти DDR4

Этой осенью компания Intel представит новое воплощение платформы "для зажиточных энтузиастов", в состав которой войдут чипсеты X99 и процессоры Haswell-E с очередной разновидностью конструктивного исполнения LGA 2011. Одновременно энтузиасты получат доступ к оперативной памяти стандарта DDR4. Соответствующие модули ОЗУ уже выпускаются, а некоторые даже были продемонстрированы на прошедшей выставке Computex 2014.



Занятно, что в большинстве своём производители предпочли ничего не сообщать о величине задержек (в частности, CAS-латентности), свойственных первым модулям DDR4. Как сообщает сайт AnandTech, не постеснялась об этом рассказать компания GeIL, которая тоже привезла образцы новой памяти на выставку. Из небольшой памятки можно узнать, что модули DDR4 будут иметь 288-контактное исполнение, напряжение питания 1.2 В, а при эффективной частоте 1600 МГц величина CAS-латентности составит 10-12 циклов. С увеличением частоты растут и задержки: до 12-14 циклов на 1866 МГц, до 14-16 циклов на 2133 МГц, и до 15-18 циклов на 2400 МГц.




Такая величина CAS-латентности выглядит шагом назад по сравнению с памятью DDR3, однако её можно объяснить, например, изъянами первых партий микросхем DDR4 – по мере созревания стандарта DDR3 характерные для модулей этого типа задержки тоже снижались. Кроме того, ранее компания Corsair пояснила, что современные контроллеры памяти более чувствительны к частоте микросхем, и бояться высоких задержек не следует.




Пожалуй, все точки над "i" мы сможем расставить осенью, когда процессоры Haswell-E и сопутствующее им оборудование будет представлено официально.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.1 из 5
голосов: 63

Теги

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают