Samsung анонсировала первые микросхемы мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит

Компания Samsung выпустила пресс-релиз, повествующий о первой в отрасли микросхеме мобильной памяти типа LPDDR4 с плотностью 8 Гбит. Изделие производится с соблюдением технологических норм 20-нм класса, эффективная частота этой памяти составляет 3200 МГц (пропускная способность 3200 Мбит/с на один контакт), что вдвое превосходит возможности микросхем типа LPDDR3, выпускаемых по аналогичной технологии. Что характерно, энергопотребление нового решения на 40% меньше.

реклама

В одном модуле мобильной памяти Samsung может объединять до четырёх кристаллов совокупным объёмом 4 Гбайт. Массовое производство Samsung развернёт в начале 2014 года, что и натолкнуло зарубежных коллег на мысль о том, что смартфон Galaxy S5 получит 4 Гбайт оперативной памяти. Последнее также означает, что устройство будет основано на 64-разрядном процессоре, который может быть представлен в январе.

Кстати говоря, к производству дисплеев с диагональю 5.25 дюйма и разрешением 2560 на 1440 точек Samsung уже приступила. Из других особенностей аппарата выделяется 16-мегапиксельная камера и последняя версия операционной системы Android.

Оценитe материал
рейтинг: 4.4 из 5
голосов: 39

Комментарии Правила

Лента материалов раздела

Возможно вас заинтересует

Популярные статьи

Сейчас обсуждают