Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware TT
Применение эффекта туннелирования позволит решить проблему токов утечки и перегрева микросхем.

реклама

Физик Йок Кин Яп (Yok Khin Yap) из Технологического университета Мичигана предложил свою альтернативу кремниевому транзистору – сообщает сайт Daily tech . Ему пришла идея разместить квантовые точки на изолирующей подложке, а ток, при достаточном напряжении, должен перемещаться между точками, благодаря эффекту туннелирования. Если уточнить, идея новой не является, но такого рода системы ранее были работоспособны только при низких температурах, что не позволяло рассматривать их, как полноценную замену транзистору.

реклама

Профессор Яп решил эту проблему, разместив золотые квантовые точки размером около 3 нм на подложке из нанотрубок на основе нитрида бора. По описанию очевидцев, наблюдавших демонстрацию работы данного изобретения, электроны с невероятной точностью перепрыгивали с одной точки на другую. Дополнительным свойством разработки является отсутствие утечек тока в виде рассеиваемого тепла, поскольку в нём не применяются полупроводники. Размер полученного транзистора составляет 1 микрон в ширину на 20 нанометров, и в настоящее время на него оформляется патентная заявка.

Показать комментарии (28)

Сейчас обсуждают