SanDisk совместит переход на EUV-проекцию и выпуск ReRAM

Сайт EE Times опубликовал любопытную выдержку из стенограммы встречи на форуме Morgan-Stanley представителей американской компании SanDisk с финансовыми аналитиками. В ходе серии "вопросы-ответы" финансовый директор SanDisk, Джуди Брунер (Judy Bruner), заявила, что её компания не планирует внедрять производство с использованием литографического оборудования поколения EUV до начала выпуска энергонезависимой памяти типа ReRAM (резистивная память или, как её назвали в HP — память на основе мемристоров). Высокий чин из SanDisk не стал конкретизировать дату перехода на EUV или сроки коммерческого выпуска ReRAM, ограничившись заявлением, что внедрение сканеров с излучателями в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне и выпуск нового типа памяти произойдёт во второй половине текущего десятилетия (до 2020 года).



В данном заявлении есть два курьёзных момента. Во-первых, на данный вопрос правильнее отвечать техническому, а не финансовому директору. Во-вторых, компания SanDisk не занимается разработкой техпроцессов и производством флэш-памяти, а паразитирует на соответствующих мощностях японской компании Toshiba. В рамках нескольких совместных предприятий SanDisk имеет доступ к самой современной флэш-продукции Toshiba, как и готова воспользоваться плодами разработки японских инженеров. Поэтому вся нижеследующая информация, хотя она озвучена представителем SanDisk, в полной мере относится к положению дел в Toshiba.

Итак, дальнейшее снижение масштаба техпроцесса для выпуска NAND-флэш сильно под вопросом. Ожидается, что ячейка NAND-памяти перестанет работать (с достаточной износоустойчивостью) при выпуске с нормами ниже 10 нм. Без использования хитроумных алгоритмов, NAND MLC с нормами 20-нм способна выдержать 3000 циклов стирания, тогда как 30-нм MLC выдерживала 10000 циклов перепрограммирования. В SanDisk (в Toshiba) ожидают ещё два этапа снижения масштаба производства до того, как планарная ячейка перестанет работать, и оба они будут в пределах от 19 нм (современное поколение) до 10 нм. Первый техпроцесс будет стартовать во второй половине текущего года, а второй в конце 2014 или в 2015 году.







Поскольку дальше снижать масштаб производства будет нельзя, следующим шагом станет выпуск трёхмерных микросхем памяти. Для этого SanDisk и Toshiba готовят так называемую память BiCS (bit cost scalable). Немного о планах Toshiba по выпуску BiCS-памяти мы рассказывали прошлым летом. Для выпуска памяти BiCS EUV-оборудование будет не нужно. Оно понадобится позднее, когда память BiCS надо будет заменить чем-то более совершенным. Это будет резистивная память ReRAM, запись в ячейку которой происходит путём превращения оксидного слоя в проводящий. В принципе, ReRAM можно будет выпускать и без перехода на EUV-литографию, но она хорошо масштабируется и только выиграет от перехода на проекцию в сверхжёстком ультрафиолете (на фото массив ReRAM).




Будет ли это в 2017-2018 годах, представитель SanDisk отказалась подтвердить. У Toshiba инженерные образцы 256-Гбит ReRAM будут готовы в 2014 году. Потенциально компания готова приступить к выпуску такой памяти в 2015. К примеру, компании HP и SK Hynix планируют начать производство ReRAM в конце текущего года. Никакого EUV-оборудования им для этого не нужно.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.9 из 5
голосов: 34

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают