На мероприятии IEDM 2012 в декабре компания TSMC расскажет о доступном способе производства энергонезависимой памяти ReRAM, которая основана на мемристорах. Между тем, HP, стоящая у истоков создания этого электротехнического элемента, вместе с партнёром в лице SK Hynix "откладывают" дебют решений на основе ReRAM до конца 2013 года, пишет издание EE Times.

Ранее предполагалось, что традиционная флэш-память получит замену в виде микросхем на основе мемристоров уже летом будущего года. Тем не менее, Стэн Уильямс (Stan Williams), старший научный сотрудник HP и директор Лаборатории когнитивных систем, заявил, что жизнеспособное в техническом плане решение на основе мемристоров будет готово для коммерческого использования, в лучшем случае, только к концу будущего года. Кроме того, на сроки выхода памяти ReRAM на рынок повлияет спрос со стороны потребителей.

Впрочем, выпустить свой вариант мемристора может любой производитель, обладающий достаточным количеством ресурсов и наработками в соответствующей области. Это возможно благодаря спорным определениям, используемым в патентном праве: мемристоры относятся к "двухтерминальной резистивной памяти", но многие компании работают над собственной двухтерминальной памятью, которая зачастую представляет собой сочетание металл-оксид.