Elpida создала микросхемы памяти LPDDR3 плотностью 4 Гбит

Компания Elpida объявила о создании микросхем памяти DRAM типа LPDDR3 для мобильных устройств с плотностью 4 Гбит на микросхему и производимых по 30 нм технологическому процессу. Микросхемы памяти выполняются в корпусе для поверхностного монтажа FBGA и работают при напряжении питания 1.2 вольт.

реклама

Скорость передачи данных в расчёте на один контакт равняется 1600 Мбит/с, общая пропускная способность запоминающего устройства составляет 6.4 Гбайт/с, что в два раза превосходит возможности LPDDR2. Таким образом, при работе на сопоставимых скоростях, LPDDR3 потребляет примерно на 25% меньше электроэнергии в сравнении с микросхемами предыдущего поколения. Предполагается, что в мобильных устройствах будет использоваться по две микросхемы LPDDR3, таким образом, совокупная пропускная способность оперативной памяти будет достигать 12.8 Гбайт/с.

анонсы и реклама

Первые образцы микросхем будут выпущены до конца этого года. Массовое производство, в зависимости от интереса со стороны производителей портативной электроники, стартует во второй половине будущего года. Первые устройства, использующие эту память, появятся, по всей видимости, только к началу 2013 года.

Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 39

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Популярные статьи

Сейчас обсуждают