реклама
Согласно утверждениям разработчиков, память FeTRAM будет энергонезависимой и сможет хранить информацию неограниченно долгое время. Кроме того, во время работы она будет потреблять всего один процент от энергетических затрат современных флеш-накопителей, а её скорость чтения-записи будет превосходить статическую память SRAM. Всё это, конечно, выглядит слишком красиво и маловероятно, однако исследователи под руководством профессора Йорга Аппенцеллера (Joerg Appenzeller) уже подкрепили свои теории экспериментами, доказавшими, что данная технология реализуема. Сейчас основной задачей учёных является уменьшение рассеиваемого микросхемами памяти электричества. Пожелаем им успехов, и будем ожидать появления первых прототипов FeTRAM – накопителей.