Работу над улучшением характеристик современных полупроводниковых микросхем многие компании ведут совместно – это позволяет как распределить риски и финансовую нагрузку, так и объединить инженерные и научные ресурсы. Сайт EE Times сообщает, что производитель кремниевых пластин Siltronic AG примкнул к исследовательской программе, контролируемой IMEC. В рамках сотрудничества обе стороны будут разрабатывать технологии по использованию нитрида галлия при производстве кремниевых пластин.

Применение нитрида галлия способствует повышению подвижности электронов, повышению напряжения пробоя и улучшению теплопроводности. Структуры с использованием слоёв нитрида галлия и алюминия демонстрируют улучшение характеристик, отвечающих за скорость переключения транзисторов. Задача образованного консорциума – разработать технологию эпитаксиального осаждения нитрида галлия на кремниевые пластины большого диаметра в промышленных масштабах. К проекту примкнули и другие участники из числа контрактных производителей микросхем. Обкатывать технологию планируется на кремниевых пластинах типоразмера 200 мм.