Samsung готовит к производству 30 нм память типа DDR-3

Компания Samsung остаётся одним из немногих производителей полупроводниковых чипов, которым удалось обеспечить рост выручки по итогам прошлого года. Южнокорейский промышленный гигант в том году, как сообщает сайт CNN , обошёл по размерам дохода компанию HP. В четвёртом квартале 2009 года компании Samsung удалось вернуться к операционной доходности. В сфере производства полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё одно преимущество - компания активно осваивает новые литографические технологии, чаще всего опережая конкурентов.

Сегодня компания Samsung сообщила, что уже располагает образцами двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, выпущенных по 30 нм технологии. С переходом на новую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. По сравнению с 40 нм технологией, новая 30 нм технология позволяет повысить объёмы производства на 60%. В случае с 50 нм или 60 нм памятью себестоимость производства при переходе на 30 нм техпроцесс падает в два раза, уровень энергопотребления снижается на 30%. В ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти потребляет всего три ватта, что соответствует трём процентам всей электроэнергии, потребляемой ноутбуком.

Память типа DDR-3, выпущенная Samsung по 30 нм технологии, может применяться в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Соответствующие планки могут устанавливаться в настольные системы, ноутбуки и серверы. Массовое производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии компания Samsung начнёт во второй половине этого года.