реклама
Вместо этого компания Samsung вчера объявила о начале поставок модулей памяти на базе двухгигабитных микросхем DDR-3, выпущенных по 50 нм технологии. Среди 18 доступных конфигураций встречаются и регистровые модули памяти типа DDR3-1066 объёмом 16 Гб, использующие двухчиповую компоновку.
Что примечательно, эти модули памяти работают при номинальном напряжении 1.35 В. Это позволяет экономить до 20% электроэнергии по сравнению со стандартными модулями памяти, работающими при напряжении 1.5 В. Регистровая память применяется в серверных системах. Используя новые модули Samsung, можно оснастить двухпроцессорную систему 192 Гб оперативной памяти, если на каждый процессорный разъём приходится по шесть слотов для установки памяти.
Сейчас обсуждают