Samsung продемонстрировал память, созданную с использованием 40 нм технологии

Агонизирующая компания Qimonda на этой неделе сообщила, что освоила производство памяти типа DDR-3 по 46 нм технологии. Компания Samsung не могла оставаться безучастной, и тоже сообщила о выпуске памяти типа DDR-2, произведённой по 40 нм технологии. Модули памяти типа DDR2-800 в конструктивном исполнении SO-DIMM прошли одобрение Intel на совместимость с чипсетом Intel GM45.

Экономия за счёт снижения энергопотребления достигает 30%, если сравнивать новую память с предшественницей, выпущенной по 50 нм технологии. Кроме того, более "тонкий" техпроцесс позволяет получать до 60% больше микросхем с одной кремниевой пластины. Samsung собирается приступить к производству микросхем DDR-3 с использованием 40 нм технологии к концу 2009 года.

По оценкам Samsung, этот техпроцесс позволит компании приступить к разработке высокопроизводительной памяти следующего поколения, например, DDR-4. Продолжительность цикла технологической подготовки производства с переходом на 40 нм техпроцесс уменьшится в два раза.