При помощи суперкомпьютера Blue Gene, содержащего 4096 процессоров, учёные из IBM смоделировали поведение 50 комбинаций кремния и диоксида гафния, которые могут встречаться в будущих процессорах. На моделирование поведения каждой комбинации ушло по пять дней. Если бы при моделировании использовался обычный ноутбук, то на расчёты учёным пришлось бы потратить 700 лет. Как сообщили авторы эксперимента, в теории всё выглядит хорошо. Это может означать, что при производстве 45 нм процессоров AMD и IBM будут использовать транзисторы с металлическим затвором, диоксид гафния и иммерсионную 193 нм литографию.
Процессоры AMD на 45 нм ядрах с поддержкой памяти типа DDR-3 должны выйти примерно во второй половине 2008 года.
Компания Intel попутно сообщила , что готовится вложить $1-1,5 млрд. в техническое перевооружение фабрики Fab 11X в штате Нью-Мексико, сделав её своей четвёртой фабрикой, выпускающей 45 нм процессоры. Массовое производство 45 нм процессоров на Fab 11X начнётся во второй половине 2008 года, она станет одной из самых крупных фабрик Intel, использующих этот техпроцесс. Сейчас на Fab 11X выпускаются 90 нм процессоры и чипсеты из 300 мм кремниевых пластин.
Первой на выпуск 45 нм процессоров Intel перейдёт Fab D1D в штате Орегон, она же к 2009 году освоит выпуск 32 нм процессоров. Fab 32 в штате Аризона подключится к производству 45 нм процессоров в текущем году, а израильская Fab 28 начнёт выпускать 45 нм процессоры Intel в первой половине следующего года. Как известно, недавно Intel решила ускорить переход на 45 нм техпроцесс, и теперь первые 45 нм процессоры в её исполнении выйдут во второй половине 2007 года. Они будут ориентированы на серверный рынок, анонс настольных 45 нм процессоров Wolfdale и Yorkfield пока назначен на первую половину 2008 года.