Китайские учёные добились первых успехов в освоении техпроцессов производства полупроводников с нормами менее 3 нм с использованием устаревших технологий литографии, поскольку поставки самого современного оборудования для экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) от голландской компании ASML по-прежнему заблокированы из-за санкций США.

Изображение: Shutterstock

Этот прорыв стал очередным шагом Пекина к созданию альтернативного метода развития передовых технологий производства чипов в условиях экспортных ограничений со стороны Вашингтона. Согласно действующим правилам экспортного контроля, нидерландскому гиганту ASML запрещено поставлять китайским клиентам свои новейшие установки EUV, которые необходимы для производства чипов по техпроцессу тоньше 7 нанометров.

Согласно сообщениям тайваньских СМИ, ссылающихся на выступление Е Тяньчуня, эксперта Института микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS), эта поддерживаемая властями КНР организация определила предварительный путь разработки полупроводниковых устройств с архитектурой GAA (транзисторы с охватывающим затвором) с использованием менее передовой технологии глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV).

По словам Е Тяньчуня, институт завершил работы по предварительной интеграции транзисторов типа GAA CMOS со стековыми нанолистовыми каналами с использованием оборудования для DUV-литографии. Как отмечено в статье тайваньского издания Digitimes, эксперт охарактеризовал достигнутый результат как «новый технологический маршрут раннего этапа разработки MOS-транзисторов для передового производства чипов по нормам менее 3 нм в Китае».