В преддверии выхода видеокарт нового поколения во второй половине этого года Samsung Electronics делает очень интересное объявление, южнокорейский технологический гигант приступил к выпуску быстрейшей на данный момент памяти GDDR6. Новые чипы изготавливаются по 10-нм техпроцессу Samsung 1z в жёстком ультрафиолете EUV и полупроводниковой технологии High-K Metal Gate (HKMG), подразумевающий применение материалов с высокой диэлектрической постоянной.
Скорость работы новых чипов достигает 24 Гбит/с, как отмечает производитель, это позволит достичь на флагманских видеокартах пропускной способности 1,1 ТБ/с. Но это не единственное обновление, новые технологии производства послужат основой для линейки продуктов, обеспечивающих не только высокую производительность, но и энергоэффективность.
Samsung готовит варианты чипов GDDR6 с низким энергопотреблением, которые предложат скорость 20 Гбит/с и 16 Гбит/с. В данном случае внимание обращается на снижение рабочего напряжения от 1,35 В до 1,1 В, что позволит повысить энергоэффективность на 20% в сравнении с предыдущими продуктами GDDR6. Также немаловажно наличие технологии динамического переключения напряжения (DVS).
Благодаря соответствию спецификациям JEDEC новые чипы памяти совместимы со всеми конструкциями графических процессоров и готовы к широкому внедрению. Клиенты Samsung приступят к тестированию чипов в этом месяце, коммерциализировать новые решения GDDR6 24 Гбит/с компания намеревается одновременно с запуском новых графических процессоров.