В тестировании участвовали одноранговые и двухранговые UDIMM модули Longsys DDR5 ES1, первый из которых имеет емкость 16 ГБ, второй — 32 ГБ. Оба варианта работают на частоте 4800 МГц с задержками CL40 и имеют номинальное напряжение 1,1/1,1/1,8 В (VDD/VDDQ/VPP).
В китайском тесте Master Lu память набрала более 190000 баллов. Для сравнения, память Longsys DDR4 набрала всего 91757 баллов, что означает 53% преимущество DDR5 даже в текущем техническом состоянии.
В AIDA64 память DDR5 показала результаты на 28% лучше при чтении, на 27% при записи и на 10% в тестах копирования. Однако задержка была намного хуже, чем у DDR4, и это связано с несколькими причинами. Наиболее очевидная проблема заключается в несовершенстве инженерной платформы, кроме этого DDR5 обладает более высокими таймингами.