На выставке Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компания Samsung Electronics продемонстрировала новый чип хранения данных V10 BV-NAND. Он основан на архитектуре вертикальной флэш-памяти NAND 10-го поколения, сделав заметный шаг вперёд по сравнению с прежними чипами NAND.
Изображение: Samsung
Главным новшеством является новая технология склеивания пластин, позволяющая разместить более 400 слоёв. Результатом становится увеличение плотности памяти на 58% по сравнению с чипами NAND 9-го поколения. Также выросла производительность чтения, записи, ввода-вывода и энергоэффективность.
Новый чип предназначен для обработки ресурсоёмких рабочих нагрузок в реальном времени на ИИ-серверах. При этом Samsung пока не объявила о начале его коммерческого распространения.

