Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Агрессивный, бестия, точно фараон (ц)

реклама

Вчера на конференции Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA в Санта-Кларе компания Samsung обнародовала дорожную карту внедрения новых техпроцессов. Этот южнокорейский производитель редко балует нас возможностью официально узнать что-то новое о достижениях компании. Но если что-то сообщает, то это всегда нечто удивительное. Компания не разочаровала и на этот раз. Оказалось, у неё крайне агрессивные планы на будущее. Крайне.

Для начала напомним, что основной конкурент Samsung по контрактному производству чипов тайваньская компания TSMC начала массовый выпуск 7-нм продукции во втором квартале текущего года. В следующем году TSMC начнёт массовый выпуск чипов на втором поколении 7-нм техпроцесса с частичным использованием EUV-проекции и запустит рисковое производство 5-нм решений. Массовое производство с нормами 5 нм компания начнёт в 2020 году. Производство с нормами 3 нм TSMC рассчитывает запустить в 2022 году. Теперь возвращается к Samsung.

реклама

Начало массового производства 7-нм продукции Samsung организует во второй половине этого года, фактически отстав от TSMC на два-три квартал. Тем не менее, технологически Samsung вырвется вперёд, поскольку пропустит "ранний" техпроцесс (он мог бы называться 7LPE "Early") и сразу начнёт выпуск решений со второго поколения 7-нм продукции или 7LPP (7nm Low Power Plus). Запуск второго поколения 7-нм техпроцесса означает, что Samsung первой начнёт коммерческое применение сканеров диапазона EUV (13,5 нм). На конференции SFF 2018 компания подтвердила, что планы и расписание запуска техпроцесса 7LPP остаются неизменными. В то же время Samsung отмечает, что IP-блоки для массовой разработки 7-нм продукции сторонними разработчиками в полном комплекте будут готовы только в первой половине 2019 года. Торопыгам это не помешает, но массовке придётся обождать.

На основе опыта внедрения в производство сканеров EUV сразу за техпроцессом 7LPP в 2019 году компания Samsung начнёт внедрение в производство техпроцесса 5LPE (5nm Low Power Early). Техпроцесс с нормами 5 нм тоже окажется "одиноким". Вместо версии с "плюсом" сразу же за ним в 2020 году Samsung начнёт внедрять 4-нм производство, которое вернётся к классической схеме ранний техпроцесс и с плюсом: 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus). Быстрый поэтапный переход будет означать, что техпроцессы 7, 5 и 4 нм будут частично или во многом повторять друг друга, хотя Samsung обещает ощутимо уменьшать как площадь кристаллов, так и улучшать энергоэффективность решений с переходом на каждую новую ступень.

Сразу же выяснилось, что техпроцесс с нормами 4 нм окажется не таким революционным, как планировалось. Ранее Samsung сообщала, что при переходе на 4-нм технологические нормы компания откажется от вертикальных транзисторов FinFET и перейдёт на транзисторные каналы с кольцевыми затворами. Это увеличит площадь затворов и позволит удержать токовые характеристики транзисторов в нужных параметрах (в структурах FinFET затвор окружал только три стороны канала, а круговой Gate-All-Around полностью охватывает канал). Так вот, техпроцессы 4LPE/LPP будут продолжать использовать структуру FinFET (иначе Samsung вряд ли смогла бы внедрить 4-нм техпроцесс уже в 2020 году).

Пример транзисторных структур с каналами Gate-All-Around (каналы выполнены в виде наностраниц для 5-нм техпроцесса, IBM)

Революция состоится в рамках внедрения 3-нм техпроцесса. Это обещает произойти в 2021 году — на год раньше TSMC. Техпроцесс с нормами 3 нм тоже будут представлен в виде ранней и улучшенной версии 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus), но уже будет использовать структуру транзисторов с кольцевыми затворами. По сходному пути кстати, будет идти компания GlobalFoundries (и AMD), поскольку Samsung и GlobalFoundries/AMD выходцы из клуба исследователей IBM. Примерно же в это время компания Intel начнёт поставки 7-нм FinFET полупроводников. Но это уже другая и довольно печальная для Intel история.

Показать комментарии (1)

Сейчас обсуждают