В январе в каталоге продукции компании SK Hynix появились микросхемы 3D-V4. Это первые в индустрии 72-слойные чипы памяти 3D NAND. Согласно планам компании, производство первой 72-слойнной памяти SK Hynix намерена была начать во втором квартале текущего года. Это должны были быть микросхемы NAND TLC ёмкостью 256 Гбит (32 Гбайт). Производство 72-слойной 512 Гбит памяти планировалось начать во второй половине этого года.

Свежий пресс-релиз SK Hynix разъясняет, что компания пока лишь сообщила об успешной разработке 72-слойной 3D NAND TLC объёмом 256 Гбит. К массовому производству этих микросхем она приступит во второй половине года, а не во втором квартале. Ранее аналитики отмечали, что компании SK Hynix и Micron испытывают высокий уровень брака при переходе на производство многослойной памяти. Возможно, именно поэтому SK Hynix передвинула 72-слойную память по срокам производства на более позднее время.

По словам компании, выпустить 72-слойные микросхемы 3D NAND — это как разместить 4 млрд 72-этажных "небоскрёба" на небольшой монетке. Зато с одинаковой площади кристалла выходит в 1,5-раза больше ячеек памяти, чем в случае предыдущей 48-слойной памяти. Кстати, увеличена не только ёмкость кристаллов (на 30%). За счёт увеличения минимального размера блока с 9 Мбайт до 13,5 Мбайт скорость работы памяти выросла на 20%.

На основе 72-слойной памяти компания планирует выпускать однокорпусные накопители для мобильной электроники и SSD-накопители. В один корпус она способна упаковать до 16 кристаллов и получить однокорпусной 512-Гбайт накопитель. Похоже, что в некоторых смартфонах в следующем году твердотельной памяти будут больше, чем в ином компьютере.