Два года назад компания GlobalFoundries и компания Everspin Technologies заключили договор о производстве микросхем энергонезависимой памяти типа ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive Random-Access Memory, магниторезистивная RAM с переносом спинового момента). Технологию и структуру ячеек ST-MRAM представила компания Everspin, а производственные мощности и 40-нм техпроцесс организовала компания GlobalFoundries.

Память ST-MRAM обещает выдерживать в 1000 раз больше циклов перезаписи, чем память NAND-флэш, а также характеризуется скоростями доступа, близкими к скорости работы оперативной памяти. Данное партнёрство, в частности, привело к тому, что в августе нынешнего года со стапелей GlobalFoundries сошли самые плотные в индустрии микросхемы ST-MRAM ёмкостью по 256 Мбит с интерфейсом DDR3.

В конце прошлой недели GlobalFoundries и Everspin сообщили о готовности взять новый технологический барьер. Технология производства ST-MRAM будет адаптирована для выпуска SoC и FPGA со встроенной энергонезависимой памятью (eMRAM) на пластинах FD-SOI с нормами 22 нм (22FDX). Отдельные микросхемы памяти ST-MRAM, напомним, компания GlobalFoundries выпускает на обычных пластинах с использованием 40-нм техпроцесса.

Возможность выпускать встроенную память ST-MRAM с нормами 22 нм на пластинах с полностью обеднённым изолятором может стать настоящим прорывом в отрасли. Как вам энергонезависимая память со скоростью работы SRAM и ячейкой на одном транзисторе, а не на 6-7? Правда, будет это только в 2018 году. Прототипы клиентских решений с eMRAM появятся на год раньше — в 2017 году. Ожидается, что это будет находка для сферы вещей с подключением к Интернету. Кстати, будет ещё лучше, если выпуск eMRAM партнёры смогут адаптировать к представленному недавно техпроцессу 12FDX с норами 12 нм на пластинах FD-SOI.