IBM и Samsung сообщили о разработке 11-нм памяти STT MRAM

Вчера компания IBM отметила 20-летний юбилей в разработке такого энергонезависимого метода записи, как магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM). Начиналось всё с управления ячейкой с помощью электромагнитного поля, а вылилось в создание ячейки с записью с помощью передачи момента вращения спина электроном — STT MRAM (spin-transfer torque MRAM). За это время с IBM сотрудничало много компаний. Первые опыты начинались с компанией Motorola. Потом были Infineon, TDK, Micron и кто-то ещё. К финалу разработки исследователи IBM подошли вместе с инженерами компании Samsung, и 20-летний юбилей отмечается на этапе, близком к подготовке разработки к коммерческому запуску.

реклама

Завершение перевода производства памяти STT MRAM на коммерческие рельсы ожидается через три года. Сейчас запущены процессы оптимизации используемых материалов и другие инженерные мелочи. Решающим достижением стал перевод структуры ячейки из горизонтальной на вертикальную, с чем, возможно, помогла компания Samsung, как безусловный лидер в разработке многослойной памяти 3D NAND. Опытный образец памяти STT MRAM имеет ячейку с диаметром рабочей части 11 нм и на первом этапе будет производиться с использованием 10-нм техпроцесса.

реклама

Изучение характеристик опытной памяти позволяет говорить о превосходных скоростных параметрах на уровне скорости доступа порядка 10 нс. Это намного ближе к работе памяти DRAM, чем NAND-флэш. Оперативную память в целом энергонезависимая память STT MRAM не заменит, но в качестве встраиваемой памяти, как решение почти с бесконечным ресурсом на перезапись — это будет прорывом. К тому же, запись ячейки с помощью передачи момента вращения электроном оказывается экономичной по потреблению, потребляя на запись около 7,5 мкА.

реклама

Ячейка памяти STT MRAM компаний IBM и Samsung представляет собой вертикальную композитную структуру из зоны с постоянной намагниченностью, туннельного перехода и зоны с изменяемой намагниченностью. В зависимости от направления магнитного поля зоны с переменной намагниченностью ячейка будет хранить "0" или "1". Запись значения, как уже сказано выше, происходит с помощью эффекта туннельного перехода электрона с переносом спина в зону с переменной намагниченностью. Добавим, память STT MRAM разрабатывают также другие компании, в частности — компания Toshiba. Так что не факт, что IBM и Samsung первыми приступят к коммерческому выпуску STT MRAM.

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 20

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают