Китайская SMIC берётся довести память RRAM до коммерческого запуска

Летом 2013 года когорта многочисленных разработчиков памяти RRAM (ReRAM) или резистивной RAM пополнилась молодой компанией Crossbar. В отличие от широко апробированных методов насыщения обеднённого слоя изолятора в ячейке RRAM атомами кислорода, метод Crossbar предполагает управляемое и обратимое создание в аморфном кремнии нитей из ионов серебра. Поскольку ячейка Crossbar фактически полупроводниковая, технология производства RRAM Crossbar относительно просто ложится на современные CMOS-техпроцессы. В 2016 году, кстати, компания Crossbar обещала приступить к стадии лицензирования технологии выпуска RRAM крупным производителям полупроводников.

реклама

анонсы и реклама

Поразительно, но компания Crossbar сдержала своё слово. На днях один из крупнейших в мире контрактных производителей полупроводников — китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) сообщил , что он заключил с компанией Crossbar партнёрское соглашение о коммерциализации производства резистивной памяти. На основе лицензионного соглашения компания SMIC берётся выпускать RRAM для всех желающих в виде встраиваемых в микропроцессоры и SoC блоков энергонезависимой памяти. К сожалению, на момент анонса компания SMIC не сообщила, есть ли у неё клиенты на адаптацию RRAM к каким-либо продуктам. Добавим, блоки RRAM будут встраиваться в SoC и процессоры в рамках 40-нм техпроцесса. В компании ожидают, что превосходные характеристики RRAM выгодно дополнят решения в виде SoC и процессоров для носимой электроники, вещей с подключением к Интернету, смартфонов, планшетов и разнообразной автоматики.

реклама

До сих пор опытные чипы памяти RRAM компании Crossbar выпускались с использованием 110-нм техпроцесса и в виде трёхслойной структуры ёмкостью до 4 Мбит. Тесты показывали, что массив памяти RRAM может быть в 20 раз быстрее NAND-флэш, в 20 раз экономичнее по потреблению и выдерживать в 10 раз больше циклов стирания/перезаписи. Память RRAM Crossbar может быть организована как в виде ячейки с одним транзистором и сопротивлением, так и в виде одного транзистора и n-резисторов (ячеек). В первом случае будет высочайшая скорость доступа, во втором — наивысшая плотность записи. Будет интересно узнать, каковы характеристики блоков RRAM Crossbar в 40-нм исполнении SMIC.

реклама

Оценитe материал
рейтинг: 5.0 из 5
голосов: 25

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают