Летом этого года мы услышали о ещё одном разработчике памяти типа RRAM — о компании Crossbar. В общем случае резистивная память строится по единому образцу — это перекрестье двух токопроводящих линий, между которыми находится вкрапление полупроводника, сопротивление которого меняется под внешним управляемым воздействием. Выглядит всё очень просто, но на практике добиться стабильных характеристик ячеек памяти RRAM достаточно нелегко. Компания Crossbar предложила свой метод для выпуска RRAM и продолжает его совершенствовать (подробнее см. архив новостей за 6 августа).

Как заявляют разработчики, создана технология , открывающая путь для выпуска сверхплотной резистивной памяти (до 1 Тбайт в формате "почтовой марки"). Во-первых, один транзистор схемы может управлять огромным числом ячеек памяти — свыше 2000 штук. Во-вторых, предложен элемент для подавления паразитных токов, неизбежных для многочисленных подключений к каждому транзистору. Оба подхода также открывают путь к объёмным многослойным или 3D-структурам 3D RRAM.

При опросе конкретной ячейки памяти все остальные пути должны быть заблокированы, иначе произойдут паразитные утечки тока. Для подавления утечек разработчики создали управляемый полем суперлинейный переключатель, работающий вблизи пороговых значений (Field Assisted Superlinear Threshold Selector Device). Утверждается, что это единственный в своём роде элемент, способный блокировать паразитные токи менее 0,1 нА. Примечательно, что Crossbar рассказывает не о теоретических возможностях новой технологии, а приводит реальные показатели опытной 4-Мбит микросхемы.

Так, число циклов перезаписи опытного чипа RRAM достигает 100 млн. раз при температуре не выше 300 градусов по Цельсию. Время переключения на выше 50 нс. Энергопотребление памяти можно определять на стадии производства. Для этого определяется число ячеек памяти, которым может управлять один транзистор. При этом следует учитывать, что чем больше ячеек памяти на транзисторе, тем ниже быстродействие. Опытный чип также даёт надежду на скорое появление разработки в коммерческом производстве. Однако сами разработчики никаких обещаний не дают. Ранее сообщалось, что в 2015 году компания Crossbar начнёт лицензирование фирменной технологии для встраиваемого применения, а самостоятельно начнёт выпускать микросхемы памяти RRAM в 2016 году.