Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Экономии для.

реклама

Наиболее быстрой памятью для встраиваемого применения остаётся память типа SRAM. В составе процессоров память SRAM используется для кэширования и занимает сегодня неприлично много места. Уменьшить площадь массива SRAM не так просто. Для надёжной работы каждая ячейка SRAM должна состоять из 4-8 транзисторов. Это снижает чувствительность к помехам в цепях и к возможным сбоям под воздействием внешних причин, например, в виде разного рода излучений. Но может так статься, что вскоре появится новый вид SRAM. Молодая компания , Zeno Semiconductor на конференции International Electron Devices Meeting 2015 рассказала об архитектуре "однотранзисторной" ячейки SRAM.

реклама

Строго говоря, один биполярный NMOS-транзистор Zeno — это два транзистора в одном. Как это выглядит, показано на схеме выше. Но даже такая конструкция позволяет существенно экономить место. Сообщается, что в 28-нм техпроцессе ячейка SRAM Zeno занимает площадь, равную 0.025 кв. мкм. Для сравнения, типичная SRAM занимает 0,127 кв. мкм. Ячейка SRAM Zeno меньше даже на 37% чем 10-нм ячейка SRAM Samsung с использованием FinFET транзисторов, которая занимает 0,040 кв. мкм. Другим преимуществом разработки обещает стать снижение токов утечки. Также компания предлагает два варианта архитектуры. Однотранзисторную для экономичных устройств и двухтранзисторную для производительных. В обоих случаях площадь ячейки окажется в разы меньше, чем в актуальных решениях.

Разработка компании защищена более чем 50 патентами. Поэтому есть возможность лицензировать архитектуру за "разумные" деньги. Тем не менее, ещё раз подчеркнём, что пока нет данных о надёжности новой архитектуры SRAM памяти, в частности, неизвестно о величине индекса SEU (Single Event Upsets), говорить о практической пользе новой архитектуры SRAM сильно преждевременно.

Показать комментарии (14)

Сейчас обсуждают