Конечно, производители модулей памяти предпочитают подбирать достижения дружественных энтузиастов таким образом, чтобы именно их продукция участвовала в рекордном разгоне. Нередко заявления о рекорде сопровождаются оговорками: лучший результат среди сделанных при растущей луне левой рукой во второй четверг месяца в южном полушарии и тому подобное… Однако, существует достаточно представительный рейтинг HWBot, который позволяет судить о том, кто на данный момент является сильнейшим в разгоне нового типа памяти DDR4. По мере приближения анонса процессоров Skylake производители памяти стараются активнее продвигать свою продукцию, поэтому на Computex 2015 в показательных экспериментах с разгоном DDR4 было задействовано много энтузиастов.
Китайскому оверклокеру Hero, например, удалось зарегистрировать результат разгона одиночного модуля памяти до режима DDR-4421 с таймингами 19-25-25-63. Была задействована материнская плата MSI X99A XPOWER AC, и хотя для "самопиара" эта компания на Computex 2015 использовала более новый продукт серии, её заслуг не умаляет и текущий рекорд. Мы ещё вернёмся к описанию серии рекордов, достигнутых на Computex 2015 при помощи материнской платы MSI другой модели.
Заметим, что ещё вчера вечером лучший результат разгона памяти типа DDR4 принадлежал другому энтузиасту, и это лишь доказывает, что активность на данном поприще очень высока.
Hero использовал жидкий азот для охлаждения процессора Core i7-5960X, а вот модуль памяти производства G.Skill ограничивался воздушным охлаждением. Необходимо помнить, что процессоры Haswell-E работают с четырёхканальной памятью, поэтому разгон единственного модуля в этом смысле имеет ограниченную ценность для народного хозяйства.
Вообще, раз уже речь зашла о разгоне памяти производства G.Skill, то имеет смысл ознакомить читателей с галереей четырёхканальных комплектов DDR4, возможности которых компания демонстрировала на Computex 2015 с использованием различных материнских плат и процессора Core i7-5960X. Режимы работы комплектов памяти были выверены настолько, что G.Skill каждый из стендов снабдила заранее подготовленной аннотацией, описывающей конфигурацию системы и режим работы памяти.
Способность своих четырёхканальных наборов памяти объёмом 4 х 4 ГБ работать в режиме DDR4-3800 (19-25-25-63 и 19-28-28-62) компания продемонстрировала с помощью материнских плат ASRock и Gigabyte, номинальное напряжение соответствовало 1.35 В.
По мере роста объёма снижается частота. Комплект 4 х 16 ГБ работал уже в режиме DDR4-3333 (15-15-15-35), напряжение не повышалось.
Наконец, набор памяти объёмом 8 х 16 ГБ (итого 128 ГБ) довольствовался режимом DDR4-3000 (14-14-14-34). В двух последних случаях модули памяти G.Skill построены с использованием микросхем DDR4 производства Samsung. Для обдува памяти использовался специальный блок вентиляторов.
