Через два года освоение 10-нм техпроцесса поможет TSMC догнать Intel

25 февраля 2015, среда 08:45

Представитель компании TSMC в интервью сайту EE Times признался, что через два года они рассчитывают ликвидировать технологическое отставание от компании Intel. Это означает, что в 2017 году TSMC собирается начать массовый выпуск полупроводников с нормами 10 нм. Компания Intel, как недавно сообщалось, первые 10-нм процессоры может вывести на рынок в первом квартале 2017 года.

Отметим, компания TSMC давно пытается догнать компанию Intel, но только вот в последние три-четыре года вопрос с отставанием перешёл в иную плоскость. Компания Intel понемногу приступила к контрактному выпуску полупроводников и может предложить бывшим клиентам TSMC более прогрессивный техпроцесс. Это не дёшево, но конкуренция среди поставщиков готовых решений также обострилась, что заставляет их искать всё самое новое и лучшее.

Сейчас условно честные 14-нм решения есть только у Intel. Компания TSMC, как и Samsung и GlobalFoundries, приноравливается выпускать 16-нм решения с сохранением 20-нм геометрии в металлических слоях (соединения, контактные группы, изоляторы). В случае 10-нм техпроцесса TSMC перейдёт к выпуску полностью идентичных по геометрии элементов. Иными словами, сможет предложить клиентам то же самое, что и компания Intel. И это нужно уже не для бравады. По многочисленным и настойчивым слухам, в борьбу за заказ на выпуск 10-нм SoC для компании Apple подключилась также компания Intel. Даже если это только слухи, в TSMC обязаны постараться предотвратить появление подобного варианта. И в компании к этому готовы. Сумма капитальных затрат в 2015 году у компании TSMC впервые превысит оную у компании Intel.

Для производства полупроводников компания TSMC, как и Intel будет использовать 193-нм сканеры и иммерсионную литографию. Отдельные критические слои, впрочем, могут быть подготовлены для выпуска с использованием EUV-сканеров, но это если компания ASML сможет к указанному времени подготовить соответствующее оборудование. Ожидается, что переход с 16-нм FinFET решений на 10-нм FinFET позволит на 25% поднять тактовые частоты и на 45% снизить потребление, а также в 2,2 раза увеличит выход кристаллов с 300-мм кремниевой подложки. Стараться можно только ради последнего. И в компании постараются, уж поверьте!

Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают