Samsung начала массовый выпуск 20-нм микросхем DRAM
Компании пришлось поколдовать с методами производства.

Компания Samsung сегодня объявила о начале массового производства микросхем памяти типа DRAM с топологическими нормами 20 нанометров. Южнокорейский гигант отмечает, но модули памяти DDR3 на основе новых микросхем способны расходовать до 25% меньше энергии по сравнению с аналогичными изделиями на основе 25-нм микросхем.

реклама

Samsung поясняет, что в микросхемах DRAM каждая ячейка состоит из конденсатора и транзистора. Масштабировать их сложнее, чем, например, ячейки флэш-памяти типа NAND, состоящие из одного транзистора, поэтому Samsung пришлось доработать технологию производства – применяется иммерсионная литография с эксимерным лазером и модифицированный метод двойного формирования рисунка и атомно-слоевого осаждения.

анонсы и реклама

Интересно, что переход на 20-нм техпроцесс позволит Samsung на 30% увеличить объёмы производства микросхем по сравнению с 25-нм технологией, и более чем вдвое по сравнению с технологиями 30-нм класса. Компания отмечает, что в дальнейшем новый технологический процесс может применяться для выпуска микросхем по нормам 10-нм класса.

Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 34

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают