Сегодня мало кто сомневается, что будущее электроники за тонкоплёночными структурами. Техпроцесс ниже 5 нм может перестать работать с обычными кремниевыми структурами. В начале 90-х об этом знали немногие. Но те, кто знали, не преминули воспользоваться бедственным положением науки в странах бывшего СССР. Научных работников, выбравших своей профессией исследование поведения тонкоплёночных структур, брали даже в такие страны, куда иммигранту попасть предельно сложно, например, в Австралию. Итог предсказуем — там разработки, тут — Сколково.

Группа разработчиков из Государственного университета Северной Каролины под руководством доктора Линью Цао (Linyou Cao) сообщила на днях о прогрессе в деле создания тонкоплёночных полупроводниковых структур толщиной всего в один атом. Это сулит перевод электронных компонентов на настоящий атомарный уровень.

Учёные использовали такой недорогой полупроводниковый материал, как сульфид молибдена (MoS2). Хитрость была в том, чтобы вырастить слой плёнки строго заданной величины. В процессе разработки технологии обнаружилось, что выдерживая в печи заданную комбинацию парциального давления (переход из газообразного в твёрдое состояние) и общее давление пара в печи (переход из твёрдого в газообразное состояние) можно выращивать полупроводниковую плёнку толщиной в один, два и с большим числом атомов в слое. Процесс оказался полностью управляемым и потенциально способным покрыть за раз значительную площадь пластины. В опытах была использована 5-дюймовая пластина, но разработчики не сомневаются, что атомарной плёнкой можно будет покрыть и гораздо большую площадь.