Буквально 10 месяцев назад компания Samsung объявила о выпуске новых микросхем NAND флэш-памяти, которая отличалась повышенным быстродействием и плотностью записи, при сохранении уровня энергопотребления. Samsung – это крупный игрок среди разработчиков и производителей памяти, и, по тем временам, чипы, основанные на нормах 30 нм техпроцесса, являлись хорошим предложением.

Как сообщает новый пресс-релиз , Samsung собирается и дальше держать марку, переводя флэш-память на более тонкий 20 нм техпроцесс. Микросхемы, выполненные данной компанией по технологии MLC, довольно быстры, а также имеют неплохие показатели плотности и энергопотребления, однако недостаточно хороши для их использования в недрах твёрдотельных накопителей. Трёхбитные чипы будут применяться в картах флэш-памяти Secure Digital и USB флэш-накопителях, не исключёно также использование в качестве базовой памяти для смартфонов и подобного рода устройств, где не нужны предельные скорости работы.

По заверениям компании, новинка, выполненная по 20 нм нормам, при вдвое большем объёме получит до 60% превосходства в скорости работы. Изначально Samsung планирует начать с более простых решений оснащённых 32 Гб памяти, а затем расширить производство до 64 Гб устройств, выполненных по той же технологии в рамках 20 нм техпроцесса.