По мере уменьшения размеров транзисторов на полупроводниковом кристалле на пути их производства возникает всё больше естественных физических препятствий. Производители микросхем пытаются их преодолевать, вкладывая огромные средства в научные разработки, а также применяя различные новые технологии и материалы. Так или иначе, альтернативы кремнию в сфере промышленного производства полупроводниковых микросхем в ближайшие годы не предвидится, поэтому основная часть усилий учёных сконцентрирована именно на этом направлении.

Как сообщает сайт EE Times, компания Intel планирует в ближайшие три года инвестировать в разработку так называемых беспереходных транзисторов около $1,5 млн. Соответствующее соглашение было подписано с Университетом Корка, расположенным в Ирландии. В этом учреждении ведёт свои разработки команда профессора Жана-Пьера Коленжа (Jean-Pierre Colinge), которая в феврале этого года заявила о возможности выпуска беспереходных транзисторов по литографическим технологиям класса 20 нм. Отказ от использования традиционных транзисторов с переходами должен позволить увеличить плотность размещения транзисторов на кристалле полупроводника.

Параллельно будет вестись научная работа в области фотоники - на примере технологии Light Peak компания Intel уже продемонстрировала свой интерес к замещению в вычислительной технике электрических сигналов оптическими. Беспереходные транзисторы обеспечат более низкие токи утечки, а также более высокое быстродействие при сниженном энергопотреблении. Все эти преимущества, безусловно, заинтересовали компанию Intel, поэтому она и согласилась финансировать разработки ирландских учёных на следующих этапах.