В начале этого месяца компания Intel сообщила, что планирует использовать 25 нм техпроцесс для выпуска твёрдотельной памяти уже во втором квартале этого года. По мнению Micron и Intel, в этом смысле они опередили конкурентов на целый год. Твёрдотельная память используется в накопителях типа SSD, каждая новая ступень техпроцесса делает накопители более вместительными и дешёвыми.

Как поясняет сайт EE Times со ссылкой на публикации в южнокорейских СМИ, компании Samsung и Hynix масштабы своего технологического отставания от Intel оценивают иначе. Hynix собирается начать выпуск 64-гигабитных микросхем памяти по 26 нм технологии в третьем квартале этого года. Компания Samsung отстаёт в "продвинутости" техпроцесса, но опережает Hynix по срокам - массовое производство 27 нм памяти начнётся во втором квартале. Samsung остаётся крупнейшим производителем памяти для SSD, поэтому темпы модернизации производства этого корейского гиганта оказывают влияние на всю отрасль.