Компания TSMC является партнёром AMD и NVIDIA по производству видеочипов и чипсетов, поэтому от темпов её технологического перевооружения зависит и благополучие заказчиков. Известно, что в следующем полугодии TSMC может освоить выпуск 40 нм продуктов, чего с нетерпением ждут AMD и NVIDIA, вступившие в активную фазу противостояния.

Сайт EE Times сообщает, что TSMC освоит выпуск 32 нм полупроводниковых продуктов в конце 2009 года, но откажется от внедрения материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторов с металлическим затвором на этом этапе. Только в первой половине 2010 года будет налажен выпуск 28 нм продуктов, которые будут использовать указанные технологии. Оба техпроцесса будут опираться на иммерсионную литографию с длиной волны 193 нм. Кстати, в рамках 28 нм техпроцесса будет применяться ещё один новый материал - оксинитрид кремния (SiON).

Прошу заметить, что создавшие некоторое время назад технологический консорциум компании IBM, Chartered, IBM и Samsung рассчитывают внедрить high-k материалы и транзисторы с металлическим затвором ещё во второй половине 2009 года, в рамках 32 нм техпроцесса. В TSMC сочли лучшим решением предложить 32 нм техпроцесс в качестве более экономичной альтернативы 40 нм технологии, а продвинутые материалы внедрить в рамках 28 нм техпроцесса. TSMC не считает, что в этом случае будет отставать от конкурентов.

Клиенты TSMC смогут получить 32 нм продукцию только в "производительной" версии, поскольку вариант техпроцесса для устройств с низким уровнем энергопотребления на этом этапе разработан не будет. Что касается 28 нм техпроцесса, то он будет предложен в двух энергетических классах. Первые прототипы 28 нм изделий будут получены TSMC в конце текущего года.