реклама
Напомним, что EUV-литография позволяет использовать свет с длиной волны 13,5 нм против нынешних 193 нм, и это является важным шагом на пути создания более компактных транзисторов. Вчера о своих успехах в освоении EUV-литографии доложила компания AMD, которая традиционно использует сотрудничество с IBM для технологической подготовки производства. Пресс-релиз гласит о получении "полномасштабного" рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии. В предыдущих образцах эта технология использовалась только на небольших частях микросхемы, а сейчас была полностью обработана микросхема размерами 22 х 33 мм.
Сначала пробная микросхема AMD прошла обработку на Fab 36 в Дрездене, где используется 193 нм иммерсионная литография. Затем подложка с пробной микросхемой была передана в исследовательский центр IBM (штат Нью-Йорк), где AMD и IBM со своими партнерами использовали сканер EUV-литографии компании ASML. С помощью этого сканера был нанесён первый слой металлических соединений между транзисторами, изготовленными в Германии. На пробные подложки будут нанесены дополнительные слои внутренних соединений с помощью стандартной фабричной обработки, что позволит также протестировать крупные массивы памяти.
реклама
В дальнейшем AMD планирует использовать EUV-литографию для создания всех слоёв микросхемы. Ожидается, что к 2016 году полномасштабная EUV-литография будет внедрена при производстве 22 нм процессоров. Таким образом, AMD продолжает шагать в ногу с техническим прогрессом, и IBM остаётся важнейшим технологическим партнёром этой компании.
Сейчас обсуждают