Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Это может быть своеобразный ответ на Z-RAM от AMD.

реклама

Компания AMD ищет пути увеличения плотности кэш-памяти на своих процессорах, для чего недавно была лицензирована технология Z-RAM второго поколения, удачно интегрируемая в существующую технологическую инфраструктуру с использованием SOI.

Intel тоже не собирается довольствоваться существующими технологиями создания кэш-памяти. Как сообщают сайты ZD Net и The Inquirer , на проходящем в Сан-Франциско мероприятии по имени International Electronic Devices Meeting представители Intel готовы обсудить перспективы использования ячеек памяти с эффектом плавающего напряжения на затворе транзистора (Floating Body Cells).

Соответствующие разработки ведутся учёными из Университета Беркли и компании Toshiba, а компания Intel планирует адаптировать технологию для создания более плотной кэш-памяти своих процессоров. Существующая память типа SRAM имеет недостаточную плотность, используя шесть транзисторов для хранения одного бита информации. Альтернативная память типа eDRAM использует один транзистор для хранения одного бита информации, но она более медлительная и стоит дороже, чем SRAM.

реклама

Компромиссным решением, использующим один транзистор для хранения каждого бита информации, может стать память с использованием технологии FBC. Схематично устройство такой ячейки памяти показано на сайте The Inquirer . Проблема заключается в том, что толщина оксидного слоя для блоков ядра процессора и кэш-памяти должна быть разной, а при выпуске процессоров с интегрированным кэшем этого добиться нельзя. Intel предлагает увеличить число затворов до двух или даже трёх, при этом толщина оксидного слоя может быть неизменной для всех частей ядра процессора.

В последующие три-семь лет Intel собирается определиться, пригодны ли технологии трёхзатворных транзисторов и памяти типа FBC для производства собственных процессоров. Последняя подразумевает использование технологии SOI, которая поддерживается "враждебным лагерем" AMD, это обстоятельство является для Intel психологическим препятствием. Пока эта технология создания памяти является лишь кандидатом на использование в массовых процессорах Intel, её судьбу определят время и рынок.

Показать комментарии (9)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают