На прошедшем IDF компания Intel уделила определённое внимание и перспективам развития оперативной памяти. Помимо уже известного факта о том, что в будущем году в сервера и рабочие станции придут FBD (FB DIMM) модули, Intel объявил и о том, что в 2006 году компания намерена создавать платформы с поддержкой DDR3 SDRAM, работающей со скоростью 1066 МГц.

Хотя спецификация DDR3 SDRAM пока не утверждена, над ней ведут совместную работу инженеры Intel и JEDEC, говорить об основных характеристиках памяти этого типа уже возможно. По сути DDR3 представляет собой дальнейшее развитие DDR и DDR2 SDRAM: эта память вновь позволит увеличить частоту и пропускную способность, одновременно снизив напряжение питания.

В то время, как модули DDR2 SDRAM используют напряжение питания 1.8 В, будущие модули DDR3 SDRAM будут использовать напряжение, пониженное до 1.5 В. С целью более эффективного энергосбережения логика DDR3 SDRAM к тому же будет обладать дополнительными функциями управления питанием.

Что касается скоростных характеристик, то переход на чипы DDR3 позволит не только увеличить частоту работы, но и несколько снизить латентности при чтении данных (по предварительным данным, примерно на 15-20%). Память типа DDR3 будет использовать 8-битную предвыборку, в то время как в DDR2 памяти используется 4-битная предвыборка. Это означает, что частота буферов в DDR3 вновь удвоится при том, что сами ячейки памяти будут работать на той же частоте, что и в обычной SDR и DDR памяти. Однако, по традиции, под частотой DDR3 чипов и модулей понимается именно частота буферов. Именно за счет увеличения скорости буферов и расширения шины между ними и ячейками памяти будет достигнут очередной рост быстродействия.

Как видно по планам, графическое представление которых представлено выше, DDR2 SDRAM с частотой 667 и 800 МГц появится в следующем году. К концу года на рынок придёт FB-DIMM, а 2006 год ознаменуется появлением DDR3 памяти со стартовыми частотами 800 и 1066 МГц.