Безусловно, что для массового потребителя этот тип памяти интересен прежде всего тем, что будет применяться в PlayStation 3, а также небывало высокой пропускной способностью (первые образцы смогут обеспечить до 51.2 Гб/с). По причине радикальных отличий в архитектуре и интерфейсе от существующих типов памяти, Sony придется основательно переработать существующую структуру PlayStation 2 для совместимости с памятью XDR DRAM. Из-за этого появление на рынке XDR DRAM и PlayStation 3 произойдет практически одновременно – в первом полугодии 2005 года. Если быть точнее, массовое производство XDR DRAM начнется в первом квартале 2005 года, а во втором квартале игровые консоли нового поколения появятся в продаже.

Toshiba начнет производить опытными партиями 512-мегабитные модули XDR DRAM в конструктиве mBGA по 0.13 мкм техпроцессу уже в текущем году. Эти чипы будут иметь 108 контактов, рабочая частота составит 2.4 ГГц. Память будет использовать восьмибанковую организацию. Рабочее напряжение чипов XDR DRAM составит 1.8 В, потребляемая мощность - около 2.5 Вт. Переход на 0.11 мкм техпроцесс Toshiba завершит к 2006 году.

Elpida и Samsung начнут производство сразу с более совершенных 0.10 мкм и 0.11 мкм техпроцессов. К 2006 году Samsung перейдет на использование 0.09 мкм техпроцесса, а Elpida – только в 2007 году. Заметим, что чипы Samsung должны иметь более совершенное исполнение CSP с неизменными 108 контактами. Плотность в 256 Мбит большинство производителей планирует освоить в 2006 году.

Разумеется, что без активной поддержки производителей совместимого с XDR DRAM оборудования перспектив у этого типа памяти остается не так много. По этой причине все перечисленные производители памяти во многом рассчитывают на тесное сотрудничество с Sony в области разработки PlayStation 3. В этом плане дела лучше всего обстоят у Toshiba, так как именно эта компания участвует в разработке центрального процессора для новой игровой консоли.