Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
На извечный вопрос «у кого толще» не всегда можно дать однозначный ответ.

реклама

Давно известно, что по своим геометрическим параметрам техпроцессы Intel, Samsung и TSMC с одинаковым наименованием могут существенно различаться, и это нужно учитывать при сравнении технологических возможностей всех трёх компаний. Редактор сайта AnandTech Йен Катресс (Ian Cutress) со страниц Twitter решил напомнить, что ожидаемые характеристики 7-нм техпроцесса Intel не позволяют голословно верить утверждению об «отставании на пару поколений» от TSMC. Автор этих аргументов, как известно, доктор (технических наук), а потому плохого не посоветует.

реклама

Источник изображения: Intel

Пиковые значения плотности размещения транзисторов на единице площади кристалла приведены Йеном Катрессом в сравнении для техпроцессов TSMC и Intel соответственно.

Источник изображения: Intel

Становится ясно, что 7-нм техпроцесс TSMC с этой точки зрения сопоставим с 10-нм техпроцессом Intel, а последний даже несколько его превосходит. Если же опираться на прогнозируемую плотность размещения транзисторов для будущего 7-нм техпроцесса Intel, то она будет лежать в пределах от 200 до 250 млн транзисторов на кв.мм. У 3-нм техпроцесса TSMC, который в массовом производстве будет освоен не ранее второй половины следующего года, этот показатель не превысит 290 млн транзисторов на кв.мм. По сути, 7-нм техпроцесс Intel будет уступать 3-нм техпроцессу TSMC, но не так значительно, как могло бы показаться.

Нужно учитывать два важных момента. Во-первых, пиковая плотность размещения транзисторов не всегда применяется на практике. Например, какие-то сложные изделия типа высокопроизводительных процессоров могут обладать гораздо меньшей плотностью размещения транзисторов на кристалле. Во-вторых, одной только плотностью компоновки определить потребительские качества полупроводниковых изделий нельзя. Важны и быстродействие транзисторов, и уровень энергопотребления, и уровень тепловыделения, да и плотность размещения дефектов на каждом этапе жизненного цикла изделия тоже важна.

Показать комментарии (21)

Сейчас обсуждают