Те новые процессоры, видеочипы и микросхемы памяти, которые так стремительно появляются на рынке - это всего лишь верхушка огромного научно-производственного "айсберга", все составляющие элементы которого работают для достижения одной цели - обеспечить прогресс в полупроводниковой промышленности. Конечным пользователям и производителям нужны более быстрые процессоры, а прирост производительности обеспечивается главным образом за счет увеличения плотности размещения транзисторов на кристалле, что в свою очередь обеспечивается применением более "тонкого" литографического процесса и других вспомогательных технологий. В конечном счете, экстенсивный путь развития (а значит - самый легкий :)) полупроводниковой индустрии лежит в принципе уменьшения норм технологического процесса. Например, сегодня самый передовой техпроцесс из применяющихся в производстве имеет норму 13 мкм (или 130 нм). Хиты разгона - процессоры на ядре Northwood от Intel и Thoroughbred от AMD выполнены именно по этому техпроцессу. Более "тонкий" техпроцесс обычно приносит не только лучшую разгоняемость, но и снижение тепловыделения, а главное - уменьшение стоимости процессора. Таким образом, весь полупроводниковый мир стремится к более "тонким" нормам производства.

Наибольшие успехи в этом деле наблюдаются у тайваньского производителя полупроводниковых микросхем №1 - компании TSMC. Именно на ее производственных мощностях "куются" кристаллы для продуктов ATI, Nvidia и VIA. Вчера TSMC заявила, что разработала техпроцесс с нормой 25 нм, что почти в пять раз меньше существующей нормы 130 нм. Однако, особо радоваться не стоит - переход на этот техпроцесс намечен на 2007-2009 годы, поскольку перед этим должен произойти переход на норму 30 нм (дата перехода туманно определена 2005-2007 годами), 65 нм - в 2005 году, а еще раньше - на норму 90 нм - в 2003 году. Тут, как говорится, "всему свой черед".

В транзисторе, выполненном по норме 25 нм, будет использоваться технология "ребристого транзистора с полевым эффектом" (FinFET), которая использует вертикальное кремниевое ребро для получения двух затворов транзистора вместо одного. Это позволяет вдвое увеличить силу тока, проходящего через транзистор, и улучшает характеристики скорости переключения транзистора (0,39 пс для n-транзистора и 0,88 пс для p-транзистора). Примечательно, что TSMC усовершенствовала технологию, изменив форму затвора, который теперь напоминает греческую букву "омега". Поэтому технология получила название Omega FinFET.Такая эффективная и практичная конструкция позволяет увеличить быстродействие, снизить энергопотребление (до 0,7 В) и уменьшить размеры чипа, при этом для производства новых чипов может использоваться существующее технологическое оборудование, что должно весьма благоприятно сказаться на стоимости производства.

Безусловно, микросхемы (процессоры и видеочипы), выполненные по 25 нм техпроцессу, должны будут показать хорошее быстродействие и низкое энергопотребление. Последнее, в свою очередь, позволяет надеяться, что рост тепловыделения новых чипов не будет происходить экспоненциально. Хорошо было бы заполучить не очень горячие процессоры, которые будут хорошо разгоняться, согласитесь? Однако, проверить эти догадки мы сможем не ранее 2007-2009 года, так что до этого еще придется погонять не одно поколение процессоров :). Все же, приятно узнавать, что прогресс не стоит на месте, и промышленность работает на благо человечества, которому нужны более быстрые и дешевые процессоры. Теперь у нас есть основания смотреть в будущее с еще большим оптимизмом.