- толщина оксида кремния, изолирующего затвор всего 0.012 мкм, что позволит поднять предельную частоту работы транзисторов
- семь слоев медных соединений для увеличения плотности размещения элементов
- размер ячейки SRAM всего 1 кв. мм, что позволить разместить бОльшее количество памяти на кристалле
- 300 мм пластины
В новой технологии будут применяться транзисторы с новой топологией, длина затвора которых составит 0.5 мкм (для сравнения, в процессоре Pentium 4 длина затвора равна 0.6 мкм). Толщина оксида кремния над затвором составит всего 5 атомов (0.012 мкм).
Впервые в индустрии полупроводников Intel применит кремниевые подложки, выращенные особым образом, это даст более равномерное распределение плотности тока и увеличит скорость переключения транзисторов.
Медные соединения будут изолированы с применением оксида кремния с примесью углерода (carbon-doped oxide, CDO), который позволит увеличить скорость распространения сигнала в чипе и уменьшить энергопотребление.
В новом техпроцессе будут применяться два вида литографии с длиной волны 248 и 193 нм. Компания Intel планирует использовать до 75% оборудования по производству 300 мм пластин по 0.13 мкм техпроцессу для выпуска пластин по новому, 0.09 мкм процессу, что позволит обойтись без высоких дополнительных затрат, которые бы негативно сказались на стоимости конечной продукции. Первой на новый процесс перейдет фабрика D1C, затем Intel планирует перевести на новый процесс еще 2 фабрики в течение 2003 года.
Одним из первых чипов, выполненных по новому техпроцессу, станут процессоры с кодовым названием Prescott, основанные на архитектуре NetBurst. Их появление на рынке ожидается во второй половине 2003 года.
Источник: VR-Zone
Сейчас обсуждают