Компания Micron анонсировала 11-е поколение NAND-памяти G11, сообщает ComputerBase. Цифру 10 компания перескочила. По сравнению с текущим поколением G9, Micron увеличила количество слоёв ячеек с 276 до 400 и более. В сочетании с новым производственным процессом и, как утверждается, лучшим в отрасли расстоянием между ячейками, ожидается, что плотность битов примерно удвоится.
Источник изображения: Micron; ComputerBase
Начиная с 11-го поколения Micron также планирует использовать технологию Wafer-on-Wafer Bonding. Ячейки памяти и интерфейс ввода-вывода производятся на отдельных пластинах и только затем объединяются в готовый чип NAND. Следующее поколение флэш-памяти 3D NAND от Micron также должно получить интерфейс, который будет до 50% быстрее. При скорости 3,6 Гбит/с в поколении G9, скорость в новом поколении может достигать 5,4 Гбит/с. Что касается энергоэффективности, в памяти G11 энергия, необходимая для передачи бита, должна снизиться более чем на 25%.
Серийное производство памяти G11 запланировано на вторую половину 2027 года. В следующем за G11 поколении памяти ожидается сверхплотная архитектура ячеек и применение прорывных материалов с высокой подвижностью электронов.
