Чипы Samsung HBM4E будут использоваться в графических процессорах NVIDIA Rubin Ultra

В сети появилась информация, что перспективная память Samsung стандарта HBM4E успешно прошла тестирование для использования в графических ускорителях NVIDIA следующего поколения серии Rubin Ultra, предназначенных для задач искусственного интеллекта. Это отличная новость для компании, поскольку ее предыдущая память HBM3E не соответствовала требованиям NVIDIA, из-за чего та предпочла закупать у Samsung только чипы памяти GDDR7, отказавшись от HBM3E.

Новое поколение HBM отличается значительными улучшениями характеристик. Samsung является одним из ведущих производителей, чьи решения обеспечивают скорость передачи данных 14 Гбит/с на контакт при наличии 2048 контактов в стеке HBM4E. Максимальная пропускная способность одного стека HBM4E составляет 3,6 ТБ/с, а при увеличении скорости до 16 Гбит/с этот показатель достигнет 4 ТБ/с.

Источник: TechPowerUp Учитывая, что на один ускоритель ИИ или графический процессор приходится более десяти стеков памяти, суммарная пропускная способность системы будет впечатляющей. В настоящее время компания предлагает эту память в 12-слойной конфигурации с емкостью 48 ГБ на стек. Однако в будущем планируется выпуск стеков и других конфигураций в соответствии с требованиями заказчиков: 8-слойных емкостью 32 ГБ и 16-слойных емкостью 64 ГБ.

Samsung начала рассылку образцов HBM4E еще в мае текущего года. Ожидается, что в 2026 году объем производства достигнет примерно 20 000 кремниевых пластин в месяц, а в 2027 году удвоится, составив 50 000 пластин в месяц. Что касается производства базовых кристаллов, то, по имеющимся данным, компания выделила под эти цели половину своих мощностей, работающих по техпроцессу 4 нм (SF4). Столь масштабные планы свидетельствуют о высоком интересе заказчиков к технологиям вроде NVHBM и позволяют предположить, что в будущем на рынке появятся более специализированные решения.