Три ведущие полупроводниковые компании - Intel, TSMC и Samsung - продемонстрировали на конференции IEEE International Electron Devices Meeting свои подходы к созданию нового транзисторного устройства под названием CFET. CFET является трехмерным транзистором, объединяющим оба вида FET, необходимых для КМОП-логики. Компании переходят от FinFET к нанолистам, или GAAFET. CFET представляет собой более высокий нанолистовой прибор, в котором половина лент используется для одного устройства, а другая половина - для другого. Это следующий эволюционный шаг после GAAFET и начнет массовое производство через 7-10 лет. Intel продемонстрировала инвертор на основе CFET с уменьшенным размером по сравнению с обычным КМОП-инвертором и новой технологией Backside Power Delivery для уменьшения перегрузки межсоединений. Samsung и TSMC также представили свои разработки в области CFET, с использованием методов электрической изоляции и сухого травления для увеличения выхода годных устройств.