Группа исследователей из университета Фудань во главе с Чжоу Пэн и Лю Цзюньсеном разработала новую технологию флеш-памяти под названием PoX. Это устройство способно выполнять операции чтения и записи за 400 пикосекунд, что соответствует 2.5 миллиардам операций в секунду. Такая скорость делает её самой быстрой в мире полупроводниковой энергонезависимой памятью, превосходя предыдущий рекорд в два миллиона операций.

Учёные опирались на теоретическую модель квази-двумерного эффекта, которая позволила преодолеть традиционные ограничения ускорения электронов в канале памяти. В отличие от классической флеш-памяти, где требуется время для нагрева и разгона частиц, новинка использует материалы с двумерной структурой и свойствами баллистического переноса. Это обеспечивает почти мгновенный набор скорости без задержки, что открывает возможности для создания более эффективных систем хранения данных.

Среди потенциальных применений — упрощение компьютерной архитектуры за счёт объединения памяти и логики в одном компоненте, что может сделать устаревшую многоуровневую систему хранения ненужной. Для пользователей это означает возможность запускать мощные ИИ-модели локально, без необходимости использовать облачные вычисления.

Технология уже была опубликована в журнале Nature 641, где авторы описали принцип действия и будущие шаги по интеграции. В планах команды — масштабировать разработку до десятков мегабит в течение трёх-пяти лет, после чего начать сотрудничество с промышленными партнёрами. Лицензирование технологии должно помочь внедрить её в реальные продукты и ускорить развитие отрасли.